先前三星『xing』承《cheng》认制造的晶片良「liang」率差之后,高通骁龙8 Gen 1晶片就转为台积(ji)电代工。但〖dan〗据『ju』媒体报导,改由台积电代工后,骁龙8 Gen 1 Plus耗电量仍高‘gao’于预期「qi」,高通恐‘kong’怕得被{bei}迫降频「pin」。
消息人士 shi[指出 chu[,高通增强版旗舰晶片骁龙8 Gen 1 Plus的Cortex X2核心相当耗能,高频率吃电状况尤为严重。
过去以为高通〖tong〗处「chu」理器【qi】之所以耗电,是因三“san”星制程‘cheng’欠佳,虽然《ran》此说法有一定程度真实性,但是事实『shi』表明,处理器表现(xian)差强人(ren)意或许跟高通Arm核心设计(ji)也有一定的原因『yin』。高通可能最终选择给处理器【qi】Cortex X2核心降频。这就表示骁龙8 Gen 1与骁《》龙8 Gen 1 Plus性能「neng」差异不会太大(da)。
业内预计骁龙8 Gen 1 Plus将在6月「yue」发
目前骁龙8 Gen 1 Plus实际表现效果如何还不好说,希望在制程改进后能比骁龙8 Gen 1强一些。
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